Для смартфонов и VR Toshiba представила первую в мире флеш-память с шиной UFS 3.0

gator

Опубликовано:

ufs hres 1

Компания Toshiba Memory представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. Чистовая версия спецификаций UFS 3.0 была представлена комитетом JEDEC почти ровно год назад ― в конце января 2018 года. Тем самым до появления первых образцов коммерческих чипов памяти с новым интерфейсом пришлось ждать целый год. Увы, это реалии хорошей и удобной для мобильного применения последовательной шины Universal Flash Storage (UFS), которая в устройства пробивается с изрядными трудностями. Предпочтением для производителей по-прежнему остаются память и интерфейс eMMC, хотя UFS не уступает по скорости передачи данных и имеет массу других положительных характеристик: сниженное энергопотребление, улучшенную систему команд и другое.

С шиной UFS 3.0 компания Toshiba выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Образцы 128-Гбайт чипов доступны для рассылки немедленно, а остальные два будут доступны после марта. Все чипы набраны из кристаллов новейшей 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности. Высокая плотность и возросшая скорость передачи данных будут востребованы для работы с медийными файлами, тогда как размеры чипов памяти остаются достаточно маленькими, чтобы без проблем разместиться в компактных и тонких устройствах.

Размеры корпуса памяти Toshiab с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек и другое, что значительно упрощает жизнь разработчикам устройств (фактически чип с шиной UFS ― это готовый к немедленному использованию однокорпусной SSD).

Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %. Это хорошее предложение для проектировщиков смартфонов. Воспользуются ли?


Предыдущие посты

Интернетом предлагается обеспечить российские сёла с населением от 100 человек

В Минкомсвязи рассказали о поэтапном отключении аналогового телевидения в России

Следующие